Производитель Номер продукта:
SI2305CDS-T1-GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SI2305CDS-T1-GE3-DG
Описание:
MOSFET P-CH 8V 5.8A SOT23-3
Подробное описание:
P-Channel 8 V 5.8A (Tc) 960mW (Ta), 1.7W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Инвентаризация:
46362 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12915302
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SI2305CDS-T1-GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
8 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
5.8A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
1.8V, 4.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
35mOhm @ 4.4A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
30 nC @ 8 V
Vgs (макс.)
±8V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
960 pF @ 4 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
960mW (Ta), 1.7W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
SOT-23-3 (TO-236)
Упаковка / Чехол
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Базовый номер продукта
SI2305
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
SI2305CDS-T1-GE3DKR
SI2305CDST1GE3
SI2305CDS-T1-GE3TR
SI2305CDS-T1-GE3-DG
SI2305CDS-T1-GE3CT
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SI4490DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 200V 2.85A 8SO
SI2302ADS-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3
IRFI520GPBF
MOSFET N-CH 100V 7.2A TO220-3
