Производитель Номер продукта:
SI2312BDS-T1-BE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SI2312BDS-T1-BE3-DG
Описание:
N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Подробное описание:
N-Channel 20 V 3.9A (Ta) 750mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Инвентаризация:
8986 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12977847
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SI2312BDS-T1-BE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
20 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
3.9A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
1.8V, 4.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
31mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
850mV @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
12 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±8V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
750mW (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
SOT-23-3 (TO-236)
Упаковка / Чехол
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
742-SI2312BDS-T1-BE3TR
742-SI2312BDS-T1-BE3DKR
742-SI2312BDS-T1-BE3CT
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SIHD14N60ET5-GE3
N-CHANNEL 600V
SQJ850EP-T2_GE3
N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
SIHP15N50E-BE3
N-CHANNEL 500V
