Производитель Номер продукта:
SI2316BDS-T1-GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SI2316BDS-T1-GE3-DG
Описание:
MOSFET N-CH 30V 4.5A SOT23-3
Подробное описание:
N-Channel 30 V 4.5A (Tc) 1.25W (Ta), 1.66W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Инвентаризация:
61123 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12914813
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SI2316BDS-T1-GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
4.5A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
50mOhm @ 3.9A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
9.6 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
350 pF @ 15 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
1.25W (Ta), 1.66W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
SOT-23-3 (TO-236)
Упаковка / Чехол
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Базовый номер продукта
SI2316
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
SI2316BDST1GE3
SI2316BDS-T1-GE3TR
SI2316BDS-T1-GE3DKR
SI2316BDS-T1-GE3CT
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SIA417DJ-T1-GE3
MOSFET P-CH 8V 12A PPAK SC70-6
IRFPS30N60KPBF
MOSFET N-CH 600V 30A SUPER247
SI4636DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 17A 8SO
