Производитель Номер продукта:
SI2316DS-T1-E3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SI2316DS-T1-E3-DG
Описание:
MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3
Подробное описание:
N-Channel 30 V 2.9A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Инвентаризация:
13501 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12914571
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
Df7n
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SI2316DS-T1-E3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
2.9A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
50mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
800mV @ 250µA (Min)
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
7 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
215 pF @ 15 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
700mW (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
SOT-23-3 (TO-236)
Упаковка / Чехол
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Базовый номер продукта
SI2316
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
SI2316DST1E3
SI2316DS-T1-E3DKR
SI2316DS-T1-E3TR
SI2316DS-T1-E3CT
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IRLR014TRLPBF
MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
IRFPC60PBF
MOSFET N-CH 600V 16A TO247-3
SI2302DDS-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 2.9A SOT23-3
