SI2323DDS-T1-BE3
Производитель Номер продукта:

SI2323DDS-T1-BE3

Product Overview

Производитель:

Vishay Siliconix

Номер детали:

SI2323DDS-T1-BE3-DG

Описание:

P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Подробное описание:
P-Channel 20 V 4.1A (Ta), 5.3A (Tc) 960mW (Ta), 1.7W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)

Инвентаризация:

12977872
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

SI2323DDS-T1-BE3 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
20 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
4.1A (Ta), 5.3A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
1.8V, 4.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
39mOhm @ 4.1A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
36 nC @ 8 V
Vgs (макс.)
±8V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1160 pF @ 10 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
960mW (Ta), 1.7W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
SOT-23-3 (TO-236)
Упаковка / Чехол
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Технический паспорт и документы

Технические характеристики

Дополнительная информация

Стандартный пакет
3,000
Другие названия
742-SI2323DDS-T1-BE3CT
742-SI2323DDS-T1-BE3TR
742-SI2323DDS-T1-BE3DKR

Классификация окружающей среды и экспорта

Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
vishay-siliconix

SIHB120N60E-T5-GE3

N-CHANNEL 600V

vishay-siliconix

SI2307BDS-T1-BE3

P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET

vishay-siliconix

SI3464DV-T1-BE3

N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET

vishay-siliconix

SQJ474EP-T1_BE3

N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE