Производитель Номер продукта:
SI2324DS-T1-BE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SI2324DS-T1-BE3-DG
Описание:
MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT-23
Подробное описание:
N-Channel 100 V 1.6A (Ta), 2.3A (Tc) 1.25W (Ta), 2.5W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Инвентаризация:
10027 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12972870
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SI2324DS-T1-BE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
1.6A (Ta), 2.3A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
234mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.8V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
10.4 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
190 pF @ 50 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
SOT-23-3 (TO-236)
Упаковка / Чехол
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Базовый номер продукта
SI2324
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
742-SI2324DS-T1-BE3TR
742-SI2324DS-T1-BE3DKR
742-SI2324DS-T1-BE3CT
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
NVMTS1D6N10MCTXG
PTNG 100V SINGLE NCH PQFN8X8 STD
STW50N65DM6
MOSFET N-CH 650V 33A TO247-3
PJC7407_R1_00001
SOT-323, MOSFET
