Производитель Номер продукта:
SI2329DS-T1-GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SI2329DS-T1-GE3-DG
Описание:
MOSFET P-CH 8V 6A SOT23-3
Подробное описание:
P-Channel 8 V 6A (Tc) 2.5W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Инвентаризация:
4739 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12913419
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SI2329DS-T1-GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
8 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
1.2V, 4.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
30mOhm @ 5.3A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
800mV @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
29 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±5V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1485 pF @ 4 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
2.5W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
SOT-23-3 (TO-236)
Упаковка / Чехол
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Базовый номер продукта
SI2329
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
SI2329DS-T1-GE3-DG
SI2329DS-T1-GE3CT
SI2329DS-T1-GE3TR
SI2329DS-T1-GE3DKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IRFBC30ASTRLPBF
MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK
IRL530S
MOSFET N-CH 100V 15A D2PAK
SI4892DY-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 8.8A 8SO
