SI2333CDS-T1-BE3
Производитель Номер продукта:

SI2333CDS-T1-BE3

Product Overview

Производитель:

Vishay Siliconix

Номер детали:

SI2333CDS-T1-BE3-DG

Описание:

P-CHANNEL 12-V (D-S) MOSFET
Подробное описание:
P-Channel 12 V 5.1A (Ta), 7.1A (Tc) 1.25W (Ta), 2.5W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)

Инвентаризация:

2804 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12977697
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

SI2333CDS-T1-BE3 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
12 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
5.1A (Ta), 7.1A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
1.8V, 4.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
35mOhm @ 5.1A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
25 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±8V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1225 pF @ 6 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
SOT-23-3 (TO-236)
Упаковка / Чехол
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Технический паспорт и документы

Технические характеристики

Дополнительная информация

Стандартный пакет
3,000
Другие названия
742-SI2333CDS-T1-BE3DKR
742-SI2333CDS-T1-BE3CT
742-SI2333CDS-T1-BE3TR

Классификация окружающей среды и экспорта

Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
vishay-siliconix

SQJ409EP-T1_BE3

P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

vishay-siliconix

SQJA37EP-T1_BE3

P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET

vishay-siliconix

SQD50P04-13L_T4GE3

P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

vishay-siliconix

SQJA84EP-T1_BE3

N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET