Производитель Номер продукта:
SI2333DDS-T1-BE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SI2333DDS-T1-BE3-DG
Описание:
P-CHANNEL 12-V (D-S) MOSFET
Подробное описание:
P-Channel 12 V 5A (Ta), 6A (Tc) 1.2W (Ta), 1.7W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Инвентаризация:
5801 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12977817
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SI2333DDS-T1-BE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
12 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
5A (Ta), 6A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
1.5V, 4.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
28mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
35 nC @ 8 V
Vgs (макс.)
±8V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1275 pF @ 6 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
1.2W (Ta), 1.7W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
SOT-23-3 (TO-236)
Упаковка / Чехол
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
742-SI2333DDS-T1-BE3TR
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SIHA21N60EF-GE3
N-CHANNEL 600V
SIHFR9220-GE3
MOSFET P-CHANNEL 200V
SI2347DS-T1-BE3
P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
