Производитель Номер продукта:
SI2337DS-T1-E3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SI2337DS-T1-E3-DG
Описание:
MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3
Подробное описание:
P-Channel 80 V 2.2A (Tc) 760mW (Ta), 2.5W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Инвентаризация:
15954 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12959709
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SI2337DS-T1-E3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
80 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
2.2A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
6V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
270mOhm @ 1.2A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
17 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
500 pF @ 40 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
760mW (Ta), 2.5W (Tc)
Рабочая температура
-50°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
SOT-23-3 (TO-236)
Упаковка / Чехол
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Базовый номер продукта
SI2337
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
SI2337DS-T1-E3TR
SI2337DS-T1-E3DKR
SI2337DS-T1-E3CT
SI2337DST1E3
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SI4062DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 32.1A 8SO
SI7409ADN-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 7A PPAK 1212-8
SI4401BDY-T1-E3
MOSFET P-CH 40V 8.7A 8SO
