SI3430DV-T1-E3
Производитель Номер продукта:

SI3430DV-T1-E3

Product Overview

Производитель:

Vishay Siliconix

Номер детали:

SI3430DV-T1-E3-DG

Описание:

MOSFET N-CH 100V 1.8A 6TSOP
Подробное описание:
N-Channel 100 V 1.8A (Ta) 1.14W (Ta) Surface Mount 6-TSOP

Инвентаризация:

13540 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12912707
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

SI3430DV-T1-E3 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
1.8A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
6V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
170mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2V @ 250µA (Min)
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
6.6 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
1.14W (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
6-TSOP
Упаковка / Чехол
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Базовый номер продукта
SI3430

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
3,000
Другие названия
SI3430DV-T1-E3TR
SI3430DV-T1-E3DKR
SI3430DVT1E3
SI3430DV-T1-E3CT

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
vishay-siliconix

IRFR9214TRPBF

MOSFET P-CH 250V 2.7A DPAK

vishay-siliconix

SI7143DP-T1-GE3

MOSFET P-CH 30V 35A PPAK SO-8

vishay-siliconix

IRFR9010TRLPBF

MOSFET P-CH 50V 5.3A DPAK

vishay-siliconix

SI4477DY-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 26.6A 8SO