Производитель Номер продукта:
SI3443CDV-T1-GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SI3443CDV-T1-GE3-DG
Описание:
MOSFET P-CH 20V 5.97A 6TSOP
Подробное описание:
P-Channel 20 V 5.97A (Tc) 2W (Ta), 3.2W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
Инвентаризация:
3901 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12965823
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SI3443CDV-T1-GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
20 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
5.97A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
2.5V, 4.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
60mOhm @ 4.7A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
12.4 nC @ 5 V
Vgs (макс.)
±12V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
610 pF @ 10 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
2W (Ta), 3.2W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
6-TSOP
Упаковка / Чехол
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Базовый номер продукта
SI3443
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
SI3443CDVT1GE3
SI3443CDV-T1-GE3DKR
SI3443CDV-T1-GE3CT
SI3443CDV-T1-GE3-DG
SI3443CDV-T1-GE3TR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SIHF640S-GE3
MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
UJ4C075044K3S
750V/44MOHM, SIC, CASCODE, G4, T
UJ4C075044K4S
750V/44MOHM, SIC, CASCODE, G4, T