Производитель Номер продукта:
SI3458BDV-T1-BE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SI3458BDV-T1-BE3-DG
Описание:
MOSFET N-CH 60V 3.2A/4.1A 6TSOP
Подробное описание:
N-Channel 60 V 3.2A (Ta), 4.1A (Tc) 2W (Ta), 3.3W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
Инвентаризация:
2495 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12939445
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SI3458BDV-T1-BE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
3.2A (Ta), 4.1A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
100mOhm @ 3.2A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
11 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
350 pF @ 30 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
2W (Ta), 3.3W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
6-TSOP
Упаковка / Чехол
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Базовый номер продукта
SI3458
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
742-SI3458BDV-T1-BE3CT
742-SI3458BDV-T1-BE3TR
742-SI3458BDV-T1-BE3DKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SQS423EN-T1_BE3
MOSFET P-CH 30V 16A POWERPAK1212
IRF9Z30PBF-BE3
MOSFET P-CH 50V 18A TO220AB
SQ4182EY-T1_BE3
MOSFET N-CHANNEL 30V 32A 8SOIC
