Производитель Номер продукта:
SI3476DV-T1-GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SI3476DV-T1-GE3-DG
Описание:
MOSFET N-CH 80V 4.6A 6TSOP
Подробное описание:
N-Channel 80 V 4.6A (Tc) 2W (Ta), 3.6W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
Инвентаризация:
20143 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12913483
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SI3476DV-T1-GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
80 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
4.6A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
93mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
7.5 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
195 pF @ 40 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
2W (Ta), 3.6W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
6-TSOP
Упаковка / Чехол
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Базовый номер продукта
SI3476
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
SI3476DV-T1-GE3DKR
SI3476DV-T1-GE3CT
SI3476DV-T1-GE3TR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IXTK75N30
MOSFET N-CH 300V 75A TO264
IXFT220N20X3HV
MOSFET N-CH 200V 220A TO268HV
IXFP14N85X
MOSFET N-CH 850V 14A TO220AB
