Производитель Номер продукта:
SI3805DV-T1-GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SI3805DV-T1-GE3-DG
Описание:
MOSFET P-CH 20V 3.3A 6TSOP
Подробное описание:
P-Channel 20 V 3.3A (Tc) 1.1W (Ta), 1.4W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
Инвентаризация:
12920021
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SI3805DV-T1-GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
-
Серия
LITTLE FOOT®
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
20 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
3.3A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
2.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
84mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±12V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
330 pF @ 10 V
Функция полевых транзисторов
Schottky Diode (Isolated)
Рассеиваемая мощность (макс.)
1.1W (Ta), 1.4W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
6-TSOP
Упаковка / Чехол
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Базовый номер продукта
SI3805
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
SI3805DVT1GE3
SI3805DV-T1-GE3CT
SI3805DV-T1-GE3TR
SI3805DV-T1-GE3DKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
FDC634P
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
onsemi
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
5000
Номер части
FDC634P-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.18
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SIR626DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 60V 100A PPAK SO-8
SISH625DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 17.3A/35A PPAK
SIHF28N60EF-GE3
MOSFET N-CH 600V 28A TO220
