Производитель Номер продукта:
SI4108DY-T1-GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SI4108DY-T1-GE3-DG
Описание:
MOSFET N-CH 75V 20.5A 8-SOIC
Подробное описание:
N-Channel 75 V 20.5A (Tc) Surface Mount 8-SOIC
Инвентаризация:
12914377
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SI4108DY-T1-GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
-
Серия
-
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
75 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
20.5A (Tc)
Rds On (макс.) @ id, vgs
9.8mOhm @ 13.8A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
54 nC @ 10 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2100 pF @ 38 V
Функция полевых транзисторов
-
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
8-SOIC
Упаковка / Чехол
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Базовый номер продукта
SI4108
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,500
Другие названия
SI4108DY-T1-GE3CT
SI4108DYT1GE3
SI4108DY-T1-GE3TR
SI4108DY-T1-GE3DKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
DMT6010LSS-13
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Diodes Incorporated
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
5713
Номер части
DMT6010LSS-13-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.46
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IRFR9210TRR
MOSFET P-CH 200V 1.9A DPAK
SI4636DY-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 17A 8SO
IRLU014PBF
MOSFET N-CH 60V 7.7A TO251AA
