Производитель Номер продукта:
SI4122DY-T1-GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SI4122DY-T1-GE3-DG
Описание:
MOSFET N-CH 40V 27.2A 8SO
Подробное описание:
N-Channel 40 V 27.2A (Tc) 3W (Ta), 6W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
Инвентаризация:
9797 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12913856
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SI4122DY-T1-GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
40 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
27.2A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
4.5mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
95 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±25V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
4200 pF @ 20 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
3W (Ta), 6W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
8-SOIC
Упаковка / Чехол
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Базовый номер продукта
SI4122
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,500
Другие названия
SI4122DY-T1-GE3DKR
SI4122DY-T1-GE3TR
SI4122DY-T1-GE3CT
SI4122DYT1GE3
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH info available upon request
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SI7409ADN-T1-E3
MOSFET P-CH 30V 7A PPAK1212-8
IRFZ44L
MOSFET N-CH 60V 50A TO262-3
SI4409DY-T1-GE3
MOSFET P-CH 150V 1.3A 8SO
