Производитель Номер продукта:
SI4176DY-T1-E3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SI4176DY-T1-E3-DG
Описание:
MOSFET N-CH 30V 12A 8SO
Подробное описание:
N-Channel 30 V 12A (Tc) 2.4W (Ta), 5W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
Инвентаризация:
12914407
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SI4176DY-T1-E3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
-
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
20mOhm @ 8.3A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.2V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
490 pF @ 15 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
2.4W (Ta), 5W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
8-SOIC
Упаковка / Чехол
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Базовый номер продукта
SI4176
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,500
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
DMG4466SSS-13
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Diodes Incorporated
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
9423
Номер части
DMG4466SSS-13-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.09
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SI8824EDB-T2-E1
MOSFET N-CH 20V 2.1A MICROFOOT
SI5485DU-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 12A PPAK
SI8802DB-T2-E1
MOSFET N-CH 8V 4MICROFOOT
