SI4324DY-T1-GE3

Производитель Номер продукта:

SI4324DY-T1-GE3

Product Overview

Производитель:

Vishay Siliconix

Номер детали:

SI4324DY-T1-GE3-DG

Описание:

MOSFET N-CH 30V 36A 8SO

Подробное описание:

N-Channel 30 V 36A (Tc) 3.5W (Ta), 7.8W (Tc) Surface Mount 8-SOIC

Инвентаризация:

Запрос на предложение в Интернете

12918495

Запросить котировку

Количество
Минимум 1

(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов

ОТПРАВИТЬ

SI4324DY-T1-GE3 Технические характеристики

Категория

ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET

Производитель

Vishay

Упаковка

-

Серия

TrenchFET®

Статус продукта

Obsolete

Тип полевых транзисторов

N-Channel

Технологии

MOSFET (Metal Oxide)

Напряжение стока к источнику (Vdss)

30 V

Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C

36A (Tc)

Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)

4.5V, 10V

Rds On (макс.) @ id, vgs

3.2mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th) (Макс) @ Id

2.5V @ 250µA

Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs

85 nC @ 10 V

Vgs (макс.)

±20V

Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

3510 pF @ 15 V

Функция полевых транзисторов

-

Рассеиваемая мощность (макс.)

3.5W (Ta), 7.8W (Tc)

Рабочая температура

-55°C ~ 150°C (TJ)

Тип крепления

Surface Mount

Комплект устройства поставщика

8-SOIC

Упаковка / Чехол

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Базовый номер продукта

SI4324

Дополнительная информация

Стандартный пакет

2,500

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS

ROHS3 Compliant

Уровень чувствительности к влаге (MSL)

1 (Unlimited)

Статус REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

ХИТСУС

8541.29.0095

Сертификация DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Связанные продукты

vishay-siliconix

SIA448DJ-T1-GE3

MOSFET N-CH 20V 12A PPAK SC70-6

vishay-siliconix

SUM70N03-09CP-E3

MOSFET N-CH 30V 70A TO263

vishay-siliconix

SI7860ADP-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8

vishay-siliconix

SIR870ADP-T1-RE3

MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8