SI4398DY-T1-GE3
Производитель Номер продукта:

SI4398DY-T1-GE3

Product Overview

Производитель:

Vishay Siliconix

Номер детали:

SI4398DY-T1-GE3-DG

Описание:

MOSFET N-CH 20V 19A 8SO
Подробное описание:
N-Channel 20 V 19A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount 8-SOIC

Инвентаризация:

12915017
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

SI4398DY-T1-GE3 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
-
Серия
-
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
20 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
19A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
2.8mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
50 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
5620 pF @ 10 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
1.6W (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
8-SOIC
Упаковка / Чехол
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Базовый номер продукта
SI4398

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
2,500

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095

Альтернативные модели

Номер детали
SI4186DY-T1-GE3
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Vishay Siliconix
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
4214
Номер части
SI4186DY-T1-GE3-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.40
Тип замещения
Direct
Сертификация DIGI
Связанные продукты
vishay-siliconix

SI1404BDH-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 1.9A/2.37A SC70

vishay-siliconix

IRFR9010TRL

MOSFET P-CH 50V 5.3A DPAK

vishay-siliconix

SI7491DP-T1-GE3

MOSFET P-CH 30V 11A PPAK SO-8

vishay-siliconix

SI4620DY-T1-E3

MOSFET N-CH 30V 6A/7.5A 8SO