Производитель Номер продукта:
SI4401BDY-T1-GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SI4401BDY-T1-GE3-DG
Описание:
MOSFET P-CH 40V 8.7A 8SO
Подробное описание:
P-Channel 40 V 8.7A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Инвентаризация:
12864 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12911870
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SI4401BDY-T1-GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
40 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
8.7A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
14mOhm @ 10.5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
55 nC @ 5 V
Vgs (макс.)
±20V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
1.5W (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
8-SOIC
Упаковка / Чехол
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Базовый номер продукта
SI4401
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,500
Другие названия
SI4401BDYT1GE3
SI4401BDY-T1-GE3TR
SI4401BDY-T1-GE3CT
SI4401BDY-T1-GE3DKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IRFS11N50ATRR
MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK
SI7850DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8
IRFR014
MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
