SI4434ADY-T1-GE3
Производитель Номер продукта:

SI4434ADY-T1-GE3

Product Overview

Производитель:

Vishay Siliconix

Номер детали:

SI4434ADY-T1-GE3-DG

Описание:

MOSFET N-CH 250V 2.8A/4.1A 8SO
Подробное описание:
N-Channel 250 V 2.8A (Ta), 4.1A (Tc) 2.9W (Ta), 6W (Tc) Surface Mount 8-SO

Инвентаризация:

4840 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12913569
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

SI4434ADY-T1-GE3 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
ThunderFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
250 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
2.8A (Ta), 4.1A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
7.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
150mOhm @ 2.8A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
16.5 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
600 pF @ 125 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
2.9W (Ta), 6W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
8-SO
Упаковка / Чехол
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Базовый номер продукта
SI4434

Технический паспорт и документы

Технические характеристики

Дополнительная информация

Стандартный пакет
2,500
Другие названия
SI4434ADY-T1-GE3DKR
SI4434ADY-T1-GE3CT
SI4434ADY-GE3
SI4434ADY-T1-GE3TR

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH info available upon request
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
vishay-siliconix

IRFR9020

MOSFET P-CH 50V 9.9A DPAK

vishay-siliconix

IRFP450LC

MOSFET N-CH 500V 14A TO247-3

vishay-siliconix

SI7356ADP-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

vishay-siliconix

IRFR420TRR

MOSFET N-CH 500V 2.4A DPAK