Производитель Номер продукта:
SI4463BDY-T1-E3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SI4463BDY-T1-E3-DG
Описание:
MOSFET P-CH 20V 9.8A 8SO
Подробное описание:
P-Channel 20 V 9.8A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Инвентаризация:
14496 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12913881
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SI4463BDY-T1-E3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
20 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
9.8A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
2.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
11mOhm @ 13.7A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1.4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
56 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±12V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
1.5W (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
8-SOIC
Упаковка / Чехол
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Базовый номер продукта
SI4463
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,500
Другие названия
SI4463BDYT1E3
SI4463BDY-T1-E3DKR
SI4463BDY-T1-E3TR
SI4463BDY-T1-E3CT
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH info available upon request
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SI4848ADY-T1-GE3
MOSFET N-CH 150V 5.5A 8SOIC
SI1450DH-T1-E3
MOSFET N-CH 8V 4.53A/6.04A SC70
IRFRC20TRPBF
MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
