Производитель Номер продукта:
SI4483EDY-T1-GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SI4483EDY-T1-GE3-DG
Описание:
MOSFET P-CH 30V 10A 8SO
Подробное описание:
P-Channel 30 V 10A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Инвентаризация:
12914518
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SI4483EDY-T1-GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
-
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
10A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
8.5mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3V @ 250µA
Vgs (макс.)
±25V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
1.5W (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
8-SOIC
Упаковка / Чехол
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Базовый номер продукта
SI4483
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,500
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
DMG4413LSS-13
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Diodes Incorporated
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
3968
Номер части
DMG4413LSS-13-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.32
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IRFBE20STRR
MOSFET N-CH 800V 1.8A D2PAK
SI2306BDS-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 3.16A SOT23-3
IRFP360LCPBF
MOSFET N-CH 400V 23A TO247-3
