SI4642DY-T1-E3
Производитель Номер продукта:

SI4642DY-T1-E3

Product Overview

Производитель:

Vishay Siliconix

Номер детали:

SI4642DY-T1-E3-DG

Описание:

MOSFET N-CH 30V 34A 8SO
Подробное описание:
N-Channel 30 V 34A (Tc) 3.5W (Ta), 7.8W (Tc) Surface Mount 8-SOIC

Инвентаризация:

12915465
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

SI4642DY-T1-E3 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
-
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
34A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
3.75mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
5540 pF @ 15 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
3.5W (Ta), 7.8W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
8-SOIC
Упаковка / Чехол
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Базовый номер продукта
SI4642

Дополнительная информация

Стандартный пакет
2,500
Другие названия
SI4642DYT1E3
SI4642DY-T1-E3DKR
SI4642DY-T1-E3TR
SI4642DY-T1-E3CT

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095

Альтернативные модели

Номер детали
IRF8788TRPBF
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Infineon Technologies
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
7294
Номер части
IRF8788TRPBF-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.46
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
littelfuse

IXFV96N15P

MOSFET N-CH 150V 96A PLUS220

vishay-siliconix

SI3447CDV-T1-GE3

MOSFET P-CH 12V 7.8A 6TSOP

vishay-siliconix

SI7848BDP-T1-GE3

MOSFET N-CH 40V 47A PPAK SO-8

vishay-siliconix

SI7384DP-T1-E3

MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8