SI4800BDY-T1-E3
Производитель Номер продукта:

SI4800BDY-T1-E3

Product Overview

Производитель:

Vishay Siliconix

Номер детали:

SI4800BDY-T1-E3-DG

Описание:

MOSFET N-CH 30V 6.5A 8SO
Подробное описание:
N-Channel 30 V 6.5A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount 8-SOIC

Инвентаризация:

4805 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12918549
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
YRYY
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

SI4800BDY-T1-E3 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
6.5A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
18.5mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1.8V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
13 nC @ 5 V
Vgs (макс.)
±25V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
1.3W (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
8-SOIC
Упаковка / Чехол
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Базовый номер продукта
SI4800

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
2,500
Другие названия
SI4800BDY-T1-E3CT
SI4800BDY-T1-E3TR
SI4800BDYT1E3
SI4800BDY-T1-E3DKR

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH info available upon request
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
vishay-siliconix

SIJ458DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8

vishay-siliconix

SI4386DY-T1-E3

MOSFET N-CH 30V 11A 8SO

onsemi

2SK4066-E

MOSFET N-CH 60V 100A SMP

nexperia

BUK764R0-75C,118

MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK