Производитель Номер продукта:
SI4800BDY-T1-E3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SI4800BDY-T1-E3-DG
Описание:
MOSFET N-CH 30V 6.5A 8SO
Подробное описание:
N-Channel 30 V 6.5A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Инвентаризация:
4805 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12918549
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
YRYY
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SI4800BDY-T1-E3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
6.5A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
18.5mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1.8V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
13 nC @ 5 V
Vgs (макс.)
±25V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
1.3W (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
8-SOIC
Упаковка / Чехол
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Базовый номер продукта
SI4800
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,500
Другие названия
SI4800BDY-T1-E3CT
SI4800BDY-T1-E3TR
SI4800BDYT1E3
SI4800BDY-T1-E3DKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH info available upon request
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SIJ458DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
SI4386DY-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 11A 8SO
2SK4066-E
MOSFET N-CH 60V 100A SMP
