Производитель Номер продукта:
SI4814BDY-T1-GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SI4814BDY-T1-GE3-DG
Описание:
MOSFET 2N-CH 30V 10A/10.5A 8SOIC
Подробное описание:
Mosfet Array 30V 10A, 10.5A 3.3W, 3.5W Surface Mount 8-SOIC
Инвентаризация:
12916504
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SI4814BDY-T1-GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, ПОЛИПРОВОДНИКИ, МОДУЛИ MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
-
Серия
LITTLE FOOT®
Статус продукта
Obsolete
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Конфигурация
2 N-Channel (Half Bridge)
Функция полевых транзисторов
Logic Level Gate
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
10A, 10.5A
Rds On (макс.) @ id, vgs
18mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
10nC @ 4.5V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
-
Мощность - Макс
3.3W, 3.5W
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Комплект устройства поставщика
8-SOIC
Базовый номер продукта
SI4814
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,500
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
DMG4822SSD-13
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Diodes Incorporated
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
4911
Номер части
DMG4822SSD-13-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.19
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SQJQ906EL-T1_GE3
MOSFET 2N-CH 40V 160A PPAK8X8
SI7904DN-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 20V 5.3A PPAK 1212
SIZ710DT-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 20V 16A 6PWRPAIR
