Производитель Номер продукта:
SI4816DY-T1-GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SI4816DY-T1-GE3-DG
Описание:
MOSFET 2N-CH 30V 5.3A/7.7A 8SOIC
Подробное описание:
Mosfet Array 30V 5.3A, 7.7A 1W, 1.25W Surface Mount 8-SOIC
Инвентаризация:
12918013
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SI4816DY-T1-GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, ПОЛИПРОВОДНИКИ, МОДУЛИ MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
-
Серия
LITTLE FOOT®
Статус продукта
Obsolete
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Конфигурация
2 N-Channel (Half Bridge)
Функция полевых транзисторов
Logic Level Gate
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
5.3A, 7.7A
Rds On (макс.) @ id, vgs
22mOhm @ 6.3A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
12nC @ 5V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
-
Мощность - Макс
1W, 1.25W
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Комплект устройства поставщика
8-SOIC
Базовый номер продукта
SI4816
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,500
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
SI4816BDY-T1-GE3
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Vishay Siliconix
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
0
Номер части
SI4816BDY-T1-GE3-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.63
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SQJB70EP-T1_GE3
MOSFET 2N-CH 100V 11.3A PPAK SO8
SI7501DN-T1-E3
MOSFET N/P-CH 30V 5.4A 1212-8
SI3590DV-T1-E3
MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6TSOP
