SI4838DY-T1-GE3
Производитель Номер продукта:

SI4838DY-T1-GE3

Product Overview

Производитель:

Vishay Siliconix

Номер детали:

SI4838DY-T1-GE3-DG

Описание:

MOSFET N-CH 12V 17A 8SO
Подробное описание:
N-Channel 12 V 17A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount 8-SOIC

Инвентаризация:

12915743
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

SI4838DY-T1-GE3 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
12 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
17A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
2.5V, 4.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
3mOhm @ 25A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
600mV @ 250µA (Min)
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
60 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±8V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
1.6W (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
8-SOIC
Упаковка / Чехол
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Базовый номер продукта
SI4838

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
2,500

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
vishay-siliconix

SI7114DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 11.7A PPAK1212-8

vishay-siliconix

SIA419DJ-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6

vishay-siliconix

SI4840DY-T1-GE3

MOSFET N-CH 40V 10A 8SO

vishay-siliconix

SI3424BDV-T1-E3

MOSFET N-CH 30V 8A 6TSOP