SI4896DY-T1-GE3
Производитель Номер продукта:

SI4896DY-T1-GE3

Product Overview

Производитель:

Vishay Siliconix

Номер детали:

SI4896DY-T1-GE3-DG

Описание:

MOSFET N-CH 80V 6.7A 8SO
Подробное описание:
N-Channel 80 V 6.7A (Ta) 1.56W (Ta) Surface Mount 8-SOIC

Инвентаризация:

2500 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12915957
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

SI4896DY-T1-GE3 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
80 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
6.7A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
6V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
16.5mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2V @ 250µA (Min)
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
41 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
1.56W (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
8-SOIC
Упаковка / Чехол
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Базовый номер продукта
SI4896

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
2,500
Другие названия
SI4896DY-T1-GE3DKR
SI4896DY-T1-GE3TR
SI4896DY-T1-GE3CT
SI4896DYT1GE3

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH info available upon request
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
vishay-siliconix

SI7463DP-T1-GE3

MOSFET P-CH 40V 11A PPAK SO-8

vishay-siliconix

SUM90330E-GE3

MOSFET N-CH 200V 35.1A TO263

vishay-siliconix

SIA446DJ-T1-GE3

MOSFET N-CH 150V 7.7A PPAK SC70

vishay-siliconix

SI4831DY-T1-E3

MOSFET P-CH 30V 5A 8-SOIC