Производитель Номер продукта:
SI5401DC-T1-E3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SI5401DC-T1-E3-DG
Описание:
MOSFET P-CH 20V 5.2A 1206-8
Подробное описание:
P-Channel 20 V 5.2A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount 1206-8 ChipFET™
Инвентаризация:
12918342
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SI5401DC-T1-E3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
-
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
20 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
5.2A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
1.8V, 4.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
32mOhm @ 5.2A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
25 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±8V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
1.3W (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
1206-8 ChipFET™
Упаковка / Чехол
8-SMD, Flat Lead
Базовый номер продукта
SI5401
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
SI5401DCT1E3
SI5401DC-T1-E3TR
SI5401DC-T1-E3CT
SI5401DC-T1-E3DKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
NTHS4101PT1G
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
onsemi
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
8830
Номер части
NTHS4101PT1G-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.36
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SIRA04DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
SI4384DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 10A 8SO
SQM35N30-97_GE3
MOSFET N-CH 300V 35A TO263
