SI5404BDC-T1-E3
Производитель Номер продукта:

SI5404BDC-T1-E3

Product Overview

Производитель:

Vishay Siliconix

Номер детали:

SI5404BDC-T1-E3-DG

Описание:

MOSFET N-CH 20V 5.4A 1206-8
Подробное описание:
N-Channel 20 V 5.4A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount 1206-8 ChipFET™

Инвентаризация:

1 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12916719
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

SI5404BDC-T1-E3 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Cut Tape (CT)
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
20 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
5.4A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
2.5V, 4.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
28mOhm @ 5.4A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
11 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±12V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
1.3W (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
1206-8 ChipFET™
Упаковка / Чехол
8-SMD, Flat Lead
Базовый номер продукта
SI5404

Дополнительная информация

Стандартный пакет
3,000
Другие названия
SI5404BDC-T1-E3DKR
SI5404BDC-T1-E3TR
SI5404BDCT1E3
SI5404BDC-T1-E3CT

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
vishay-siliconix

SI7495DP-T1-GE3

MOSFET P-CH 12V 13A PPAK SO-8

vishay-siliconix

SUM40N02-12P-E3

MOSFET N-CH 20V 40A TO263

vishay-siliconix

SI4322DY-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 18A 8SO

vishay-siliconix

SIR462DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8