Производитель Номер продукта:
SI5410DU-T1-GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SI5410DU-T1-GE3-DG
Описание:
MOSFET N-CH 40V 12A PPAK
Подробное описание:
N-Channel 40 V 12A (Tc) 3.1W (Ta), 31W (Tc) Surface Mount PowerPAK® ChipFET™ Single
Инвентаризация:
12919587
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SI5410DU-T1-GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
-
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
40 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
18mOhm @ 6.6A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
32 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1350 pF @ 20 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
3.1W (Ta), 31W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PowerPAK® ChipFET™ Single
Упаковка / Чехол
PowerPAK® ChipFET™ Single
Базовый номер продукта
SI5410
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
SI5410DUT1GE3
SI5410DU-T1-GE3TR
SI5410DU-T1-GE3CT
SI5410DU-T1-GE3DKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
SI5418DU-T1-GE3
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Vishay Siliconix
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
1882
Номер части
SI5418DU-T1-GE3-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.45
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SI5443DC-T1-E3
MOSFET P-CH 20V 3.6A 1206-8
SI7328DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 35A PPAK1212-8
SIHP22N65E-GE3
MOSFET N-CH 650V 22A TO220AB
