Производитель Номер продукта:
SI5419DU-T1-GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SI5419DU-T1-GE3-DG
Описание:
MOSFET P-CH 30V 12A PPAK CHIPFET
Подробное описание:
P-Channel 30 V 12A (Tc) 3.1W (Ta), 31W (Tc) Surface Mount PowerPAK® ChipFET™ Single
Инвентаризация:
13890 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12917443
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SI5419DU-T1-GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
20mOhm @ 6.6A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1400 pF @ 15 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
3.1W (Ta), 31W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PowerPAK® ChipFET™ Single
Упаковка / Чехол
PowerPAK® ChipFET™ Single
Базовый номер продукта
SI5419
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
SI5419DU-T1-GE3CT
SI5419DUT1GE3
SI5419DU-T1-GE3TR
SI5419DU-T1-GE3DKR
SI5419DU-T1-GE3-A
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SI3447BDV-T1-E3
MOSFET P-CH 12V 4.5A 6TSOP
SI4630DY-T1-E3
MOSFET N-CH 25V 40A 8SO
SI3442BDV-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 3A 6TSOP
