Производитель Номер продукта:
SI5441DC-T1-E3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SI5441DC-T1-E3-DG
Описание:
MOSFET P-CH 20V 3.9A 1206-8
Подробное описание:
P-Channel 20 V 3.9A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount 1206-8 ChipFET™
Инвентаризация:
12920654
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SI5441DC-T1-E3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
-
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
20 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
3.9A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
2.5V, 4.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
55mOhm @ 3.9A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1.4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
22 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±12V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
1.3W (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
1206-8 ChipFET™
Упаковка / Чехол
8-SMD, Flat Lead
Базовый номер продукта
SI5441
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
SI5457DC-T1-GE3
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Vishay Siliconix
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
28298
Номер части
SI5457DC-T1-GE3-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.15
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SQR97N06-6M3L_GE3
MOSFET N-CH 60V 50A TO252
SQM120N04-1M7_GE3
MOSFET N-CH 40V 120A TO263
SUM25P10-138-E3
MOSFET N-CH 100V 16.7A TO263
