Производитель Номер продукта:
SI5475BDC-T1-E3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SI5475BDC-T1-E3-DG
Описание:
MOSFET P-CH 12V 6A 1206-8
Подробное описание:
P-Channel 12 V 6A (Ta) 2.5W (Ta), 6.3W (Tc) Surface Mount 1206-8 ChipFET™
Инвентаризация:
12912095
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SI5475BDC-T1-E3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
-
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
12 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
6A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
1.8V, 4.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
28mOhm @ 5.6A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
40 nC @ 8 V
Vgs (макс.)
±8V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1400 pF @ 6 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
2.5W (Ta), 6.3W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
1206-8 ChipFET™
Упаковка / Чехол
8-SMD, Flat Lead
Базовый номер продукта
SI5475
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
RT1A050ZPTR
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Rohm Semiconductor
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
7984
Номер части
RT1A050ZPTR-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.33
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
3N163-E3
MOSFET P-CH 40V 50MA TO72
IRFU9010
MOSFET P-CH 50V 5.3A TO251AA
IRL640SPBF
MOSFET N-CH 200V 17A D2PAK
