Производитель Номер продукта:
SI5480DU-T1-E3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SI5480DU-T1-E3-DG
Описание:
MOSFET N-CH 30V 12A PPAK
Подробное описание:
N-Channel 30 V 12A (Tc) 3.1W (Ta), 31W (Tc) Surface Mount PowerPAK® ChipFET™ Single
Инвентаризация:
12918032
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SI5480DU-T1-E3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
-
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
16mOhm @ 7.2A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
34 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1230 pF @ 15 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
3.1W (Ta), 31W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PowerPAK® ChipFET™ Single
Упаковка / Чехол
PowerPAK® ChipFET™ Single
Базовый номер продукта
SI5480
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
SI5480DU-T1-E3CT
SI5480DU-T1-E3DKR
SI5480DU-T1-E3TR
SI5480DUT1E3
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
SI5418DU-T1-GE3
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Vishay Siliconix
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
1882
Номер части
SI5418DU-T1-GE3-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.45
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SI7344DP-T1-E3
MOSFET N-CH 20V 11A PPAK SO-8
SQJA88EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 40V 30A PPAK SO-8
SI4435DDY-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 11.4A 8SO
