Производитель Номер продукта:
SI5499DC-T1-GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SI5499DC-T1-GE3-DG
Описание:
MOSFET P-CH 8V 6A 1206-8 CHIPFET
Подробное описание:
P-Channel 8 V 6A (Tc) 2.5W (Ta), 6.2W (Tc) Surface Mount 1206-8 ChipFET™
Инвентаризация:
12919915
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SI5499DC-T1-GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
-
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
8 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
1.5V, 4.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
36mOhm @ 5.1A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
800mV @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
35 nC @ 8 V
Vgs (макс.)
±5V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1290 pF @ 4 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
2.5W (Ta), 6.2W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
1206-8 ChipFET™
Упаковка / Чехол
8-SMD, Flat Lead
Базовый номер продукта
SI5499
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
SI5499DC-T1-GE3TR
SI5499DC-T1-GE3CT
SI5499DC-T1-GE3DKR
SI5499DCT1GE3
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
SI5471DC-T1-GE3
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Vishay Siliconix
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
16150
Номер части
SI5471DC-T1-GE3-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.22
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SI8472DB-T2-E1
MOSFET N-CH 20V 4MICRO FOOT
SIA425EDJ-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 4.5A PPAK SC70-6
SI7120DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 6.3A 1212-8
