Производитель Номер продукта:
SI5857DU-T1-GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SI5857DU-T1-GE3-DG
Описание:
MOSFET P-CH 20V 6A PPAK CHIPFET
Подробное описание:
P-Channel 20 V 6A (Tc) 2.3W (Ta), 10.4W (Tc) Surface Mount PowerPAK® ChipFET™ Single
Инвентаризация:
12912441
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SI5857DU-T1-GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
-
Серия
LITTLE FOOT®
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
20 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
2.5V, 4.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
58mOhm @ 3.6A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
17 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±12V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
480 pF @ 10 V
Функция полевых транзисторов
Schottky Diode (Isolated)
Рассеиваемая мощность (макс.)
2.3W (Ta), 10.4W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PowerPAK® ChipFET™ Single
Упаковка / Чехол
PowerPAK® ChipFET™ Single
Базовый номер продукта
SI5857
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SI1443EDH-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 4A SOT-363
IRL640STRRPBF
MOSFET N-CH 200V 17A D2PAK
SI7374DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 24A PPAK SO-8
