Производитель Номер продукта:
SI5905DC-T1-GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SI5905DC-T1-GE3-DG
Описание:
MOSFET 2P-CH 8V 3A 1206-8
Подробное описание:
Mosfet Array 8V 3A 1.1W Surface Mount 1206-8 ChipFET™
Инвентаризация:
12919261
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SI5905DC-T1-GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, ПОЛИПРОВОДНИКИ, МОДУЛИ MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
-
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Obsolete
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Конфигурация
2 P-Channel (Dual)
Функция полевых транзисторов
Logic Level Gate
Напряжение стока к источнику (Vdss)
8V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
3A
Rds On (макс.) @ id, vgs
90mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
450mV @ 250µA (Min)
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
9nC @ 4.5V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
-
Мощность - Макс
1.1W
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
8-SMD, Flat Lead
Комплект устройства поставщика
1206-8 ChipFET™
Базовый номер продукта
SI5905
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
SI5935CDC-T1-GE3
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Vishay Siliconix
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
11398
Номер части
SI5935CDC-T1-GE3-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.15
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
PMDPB70XP,115
MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 6HUSON
SIZ730DT-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 16A 6PWRPAIR
SI6983DQ-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 20V 4.6A 8TSSOP
