Производитель Номер продукта:
SI5908DC-T1-E3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SI5908DC-T1-E3-DG
Описание:
MOSFET 2N-CH 20V 4.4A 1206-8
Подробное описание:
Mosfet Array 20V 4.4A 1.1W Surface Mount 1206-8 ChipFET™
Инвентаризация:
11558 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12915943
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SI5908DC-T1-E3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, ПОЛИПРОВОДНИКИ, МОДУЛИ MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Active
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Конфигурация
2 N-Channel (Dual)
Функция полевых транзисторов
Logic Level Gate
Напряжение стока к источнику (Vdss)
20V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
4.4A
Rds On (макс.) @ id, vgs
40mOhm @ 4.4A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
7.5nC @ 4.5V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
-
Мощность - Макс
1.1W
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
8-SMD, Flat Lead
Комплект устройства поставщика
1206-8 ChipFET™
Базовый номер продукта
SI5908
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
SI5908DC-T1-E3DKR
SI5908DCT1E3
SI5908DC-T1-E3TR
SI5908DC-T1-E3CT
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SI1024X-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 20V 485MA SC89
SI5933CDC-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 20V 3.7A 1206-8
SI1972DH-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 1.3A SC70-6
