Производитель Номер продукта:
SI5999EDU-T1-GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SI5999EDU-T1-GE3-DG
Описание:
MOSFET 2P-CH 20V 6A PPAK CHIPFET
Подробное описание:
Mosfet Array 20V 6A 10.4W Surface Mount PowerPAK® ChipFet Dual
Инвентаризация:
12919668
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SI5999EDU-T1-GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, ПОЛИПРОВОДНИКИ, МОДУЛИ MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
-
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Obsolete
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Конфигурация
2 P-Channel (Dual)
Функция полевых транзисторов
Logic Level Gate
Напряжение стока к источнику (Vdss)
20V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
6A
Rds On (макс.) @ id, vgs
59mOhm @ 3.5A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
20nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
496pF @ 10V
Мощность - Макс
10.4W
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
PowerPAK® ChipFET™ Dual
Комплект устройства поставщика
PowerPAK® ChipFet Dual
Базовый номер продукта
SI5999
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
SI5999EDU-T1-GE3DKR
SI5999EDUT1GE3
SI5999EDU-T1-GE3CT
SI5999EDU-T1-GE3TR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SI7842DP-T1-E3
MOSFET 2N-CH 30V 6.3A PPAK SO8
SI4904DY-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 40V 8A 8SOIC
SI4804BDY-T1-E3
MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC