SI6404DQ-T1-GE3
Производитель Номер продукта:

SI6404DQ-T1-GE3

Product Overview

Производитель:

Vishay Siliconix

Номер детали:

SI6404DQ-T1-GE3-DG

Описание:

MOSFET N-CH 30V 8.6A 8TSSOP
Подробное описание:
N-Channel 30 V 8.6A (Ta) 1.08W (Ta) Surface Mount 8-TSSOP

Инвентаризация:

12915881
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

SI6404DQ-T1-GE3 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
-
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
8.6A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
2.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
9mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
600mV @ 250µA (Min)
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
48 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±12V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
1.08W (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
8-TSSOP
Упаковка / Чехол
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Базовый номер продукта
SI6404

Дополнительная информация

Стандартный пакет
3,000

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
vishay-siliconix

SI5499DC-T1-E3

MOSFET P-CH 8V 6A 1206-8 CHIPFET

vishay-siliconix

SQD50N10-8M9L_GE3

MOSFET N-CH 100V 50A TO252AA

vishay-siliconix

SI2367DS-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 3.8A SOT23-3

micro-commercial-components

SI3415A-TP

MOSFET P-CH 20V 4A SOT23