SI7115DN-T1-E3
Производитель Номер продукта:

SI7115DN-T1-E3

Product Overview

Производитель:

Vishay Siliconix

Номер детали:

SI7115DN-T1-E3-DG

Описание:

MOSFET P-CH 150V 8.9A PPAK1212-8
Подробное описание:
P-Channel 150 V 8.9A (Tc) 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8

Инвентаризация:

11758 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12917018
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

SI7115DN-T1-E3 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
150 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
8.9A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
6V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
295mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
42 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1190 pF @ 50 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
52W (Tc)
Рабочая температура
-50°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PowerPAK® 1212-8
Упаковка / Чехол
PowerPAK® 1212-8
Базовый номер продукта
SI7115

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
3,000
Другие названия
SI7115DN-T1-E3-DG
SI7115DN-T1-E3CT
SI7115DN-T1-E3DKR
SI7115DN-T1-E3TR

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
vishay-siliconix

SIR838DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 150V 35A PPAK SO-8

vishay-siliconix

SIHJ690N60E-T1-GE3

MOSFET N-CH 600V 5.6A PPAK SO-8

vishay-siliconix

SI7852DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 80V 7.6A PPAK SO-8

vishay-siliconix

SI7104DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 12V 35A PPAK 1212-8