SI7192DP-T1-GE3
Производитель Номер продукта:

SI7192DP-T1-GE3

Product Overview

Производитель:

Vishay Siliconix

Номер детали:

SI7192DP-T1-GE3-DG

Описание:

MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
Подробное описание:
N-Channel 30 V 60A (Tc) 6.25W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

Инвентаризация:

3000 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12913961
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

SI7192DP-T1-GE3 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
1.9mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
135 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
5800 pF @ 15 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
6.25W (Ta), 104W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PowerPAK® SO-8
Упаковка / Чехол
PowerPAK® SO-8
Базовый номер продукта
SI7192

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
3,000
Другие названия
SI7192DP-T1-GE3DKR
SI7192DP-T1-GE3TR
SI7192DP-T1-GE3CT
SI7192DPT1GE3

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
vishay-siliconix

IRL630STRL

MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK

vishay-siliconix

IRFR9220TR

MOSFET P-CH 200V 3.6A DPAK

vishay-siliconix

SI2333CDS-T1-GE3

MOSFET P-CH 12V 7.1A SOT23-3

vishay-siliconix

IRFIZ34G

MOSFET N-CH 60V 20A TO220-3