Производитель Номер продукта:
SI7302DN-T1-GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SI7302DN-T1-GE3-DG
Описание:
MOSFET N-CH 220V 8.4A PPAK1212-8
Подробное описание:
N-Channel 220 V 8.4A (Tc) 3.8W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Инвентаризация:
12963273
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SI7302DN-T1-GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
-
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
220 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
8.4A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
320mOhm @ 2.3A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
21 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
645 pF @ 15 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
3.8W (Ta), 52W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PowerPAK® 1212-8
Упаковка / Чехол
PowerPAK® 1212-8
Базовый номер продукта
SI7302
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SI3441BDV-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 2.45A 6TSOP
IRLR110TR
MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK
NTH4L060N090SC1
SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL
