SI7315DN-T1-GE3
Производитель Номер продукта:

SI7315DN-T1-GE3

Product Overview

Производитель:

Vishay Siliconix

Номер детали:

SI7315DN-T1-GE3-DG

Описание:

MOSFET P-CH 150V 8.9A PPAK1212-8
Подробное описание:
P-Channel 150 V 8.9A (Tc) 3.8W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8

Инвентаризация:

12603 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12913116
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

SI7315DN-T1-GE3 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
150 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
8.9A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
7.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
315mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
880 pF @ 75 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
3.8W (Ta), 52W (Tc)
Рабочая температура
-50°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PowerPAK® 1212-8
Упаковка / Чехол
PowerPAK® 1212-8
Базовый номер продукта
SI7315

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
3,000
Другие названия
SI7315DN-T1-GE3CT
SI7315DN-T1-GE3TR
SI7315DN-T1-GE3DKR

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH info available upon request
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
vishay-siliconix

SI8415DB-T1-E1

MOSFET P-CH 12V 5.3A 4MICROFOOT

vishay-siliconix

IRFI9540GPBF

MOSFET P-CH 100V 11A TO220-3

vishay-siliconix

IRF9620SPBF

MOSFET P-CH 200V 3.5A D2PAK

littelfuse

IXFK64N60P3

MOSFET N-CH 600V 64A TO264AA