Производитель Номер продукта:
SI7405BDN-T1-GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SI7405BDN-T1-GE3-DG
Описание:
MOSFET P-CH 12V 16A PPAK1212-8
Подробное описание:
P-Channel 12 V 16A (Tc) 3.6W (Ta), 33W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Инвентаризация:
12916625
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SI7405BDN-T1-GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
-
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
12 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
16A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
1.8V, 4.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
13mOhm @ 13.5A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
115 nC @ 8 V
Vgs (макс.)
±8V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
3500 pF @ 6 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
3.6W (Ta), 33W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PowerPAK® 1212-8
Упаковка / Чехол
PowerPAK® 1212-8
Базовый номер продукта
SI7405
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
SI7405BDN-T1-GE3TR
SI7405BDN-T1-GE3CT
SI7405BDN-T1-GE3DKR
SI7405BDNT1GE3
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
SIS407ADN-T1-GE3
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Vishay Siliconix
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
0
Номер части
SIS407ADN-T1-GE3-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.26
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SIS452DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 12V 35A PPAK1212-8
SIHJ10N60E-T1-GE3
MOSFET N-CH 600V 10A PPAK SO-8
SISS10DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK 1212-8S