Производитель Номер продукта:
SI7601DN-T1-GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SI7601DN-T1-GE3-DG
Описание:
MOSFET P-CH 20V 16A PPAK1212-8
Подробное описание:
P-Channel 20 V 16A (Tc) 3.8W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Инвентаризация:
12915081
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SI7601DN-T1-GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
-
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
20 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
16A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
2.5V, 4.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
19.2mOhm @ 11A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1.6V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
27 nC @ 5 V
Vgs (макс.)
±12V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1870 pF @ 10 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
3.8W (Ta), 52W (Tc)
Рабочая температура
-50°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PowerPAK® 1212-8
Упаковка / Чехол
PowerPAK® 1212-8
Базовый номер продукта
SI7601
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
SI7601DNT1GE3
SI7601DN-T1-GE3CT
SI7601DN-T1-GE3TR
SI7601DN-T1-GE3DKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IRFR120TRL
MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
SI2307CDS-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23-3
SI7149ADP-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 50A PPAK SO-8