SI7716ADN-T1-GE3
Производитель Номер продукта:

SI7716ADN-T1-GE3

Product Overview

Производитель:

Vishay Siliconix

Номер детали:

SI7716ADN-T1-GE3-DG

Описание:

MOSFET N-CH 30V 16A PPAK1212-8
Подробное описание:
N-Channel 30 V 16A (Tc) 3.5W (Ta), 27.7W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8

Инвентаризация:

14050 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12915615
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

SI7716ADN-T1-GE3 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
16A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
13.5mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
846 pF @ 15 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
3.5W (Ta), 27.7W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PowerPAK® 1212-8
Упаковка / Чехол
PowerPAK® 1212-8
Базовый номер продукта
SI7716

Дополнительная информация

Стандартный пакет
3,000
Другие названия
SI7716ADN-T1-GE3CT
SI7716ADN-T1-GE3TR
SI7716ADN-T1-GE3DKR
SI7716ADNT1GE3

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
littelfuse

IXTH500N04T2

MOSFET N-CH 40V 500A TO247

vishay-siliconix

SI7726DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 35A PPAK1212-8

vishay-siliconix

IRFR9214TR

MOSFET P-CH 250V 2.7A DPAK

vishay-siliconix

IRFR9020PBF

MOSFET P-CH 50V 9.9A DPAK